最强光刻机首次写进内存量产计划，ASML同日发布三份公告

9月8日，ASML 官网同一时间挂出三份新闻稿。三星宣布计划"by 2028"把 High NA EUV 引入 DRAM 高量产，ASML 的原文表述是"for the first time in the industry"——业界第一次。台积电写明"intends to"从2030年起在先进节点高量产中使用 High NA。英特尔代工的口径完全不同：High NA"continues to be used in high-volume manufacturing production at Intel Foundry today"，截至今日累计处理晶圆超过100万片。

High NA EUV 是极紫外光刻的下一代机型，通俗理解就是把镜头的数值孔径再做大一档，代价是设备更贵、单次曝光能覆盖的芯片面积更小。

三份公告在同一天，指向的却不是同一年。三星2028，台积电2030，ASML 与台积电牵头的12英寸光罩行业倡议把目标定在2031年试点线、2033年进入先进节点量产。把这些时间点连起来看，High NA EUV 从"能买到的设备"变成"离不开的产线"，中间隔着一条目前还不存在的产业链。

最贵的机器，第一次排进最讲成本的芯片

半导体行业有一条长期成立的路径：最先进的曝光机先给逻辑芯片用，内存要等上几代、成本摊薄之后才接手。原因是 DRAM 对每片晶圆的工序成本极度敏感，光刻层多一道少一道，直接决定毛利。

三星这次把顺序倒了过来。

ASML 新闻稿给出的理由是：High NA EUV"is expected to extend the DRAM scaling roadmap, with improved resolution enabling process simplification and increased efficiency"——用更好的分辨率换取工序简化。翻译成更直白的话：DRAM 靠自身微缩往前走的路快到头了，接下来要靠光刻机一次曝光画出更细的线条，把过去需要重复多次的曝光步骤合并掉。设备更贵，但工序更少。当"少花的工序钱"能够抵掉"多花的设备钱"，内存厂才愿意把最贵的机器请进产线。

这也解释了为什么时间点落在2028。ASML 的用词是"plans to introduce"，属于计划而不是订单，全篇没有出现采购台数、金额，也没有出现具体 DRAM 节点代号。三星要做的事，是把 High NA 写进未来 DRAM 量产的工艺路线，留出两年多的导入期。

逻辑芯片那边，台积电把时间压到2030

台积电的口径更保守也更清楚：2030年起，先进节点高量产使用 High NA EUV。新闻稿同时表示"the number of layers requiring High NA EUV will rise"，需要 High NA 的层数会随 AI 应用对晶体管架构的要求提高而增加，但没有点名具体节点，也没有给出层数。

更值得注意的是过渡路径：High NA EUV 将先用现行 6 英寸光罩量产，之后再迁移到 12 英寸。也就是说，2030年是"High NA 开始上量"的时间，不是"High NA 以最理想形态上量"的时间。

瓶颈出在光罩上。High NA 把分辨率抬高，代价是单次曝光视场面积只有现行 0.33 数值孔径机型的一半，一块传统尺寸的光罩罩不住足够大的芯片，只能拼版——一套图形拆成两次甚至多次曝光，工序变多、对位风险上升。ASML 在 SPIE 大会上的议题标题直接写着"half field stitching"。英特尔给出的解法也正是如此：客户目前可以在 6 英寸光罩内做版图规划，或使用英特尔代工的拼接能力与 PDK 方案。

这就是 12 英寸光罩倡议与两条产品公告同日发布的原因。ASML 的表述是，转向 12 英寸光罩"expected to further increase fab productivity, lower chipmaking costs and remove stitching constraints"。9月7日，在 SPIE BACUS 大会前，ASML 与台积电正式成立行业倡议，目标2031年建成12英寸光罩试点线，为12英寸 High NA 光刻系统在2033年进入先进节点生产铺路。三星同日宣布加入，英特尔方面则表示已经推动大光罩格式倡议三年以上。

ASML 新闻稿里有一句话容易被跳过："The semiconductor industry has relied on the 6-inch photomask format for decades." 2031年和2033年这两个时间点约束的不是光刻机交付节奏，而是掩膜版制造、基板材料、自动化搬运与检测设备等一整条按 6 英寸规格建线的供应链。换设备看交期，换规格看标准、看良率、看谁愿意先出第一笔钱。

ASML 的报表上，这门生意还没开始

High NA 已经卖了几年，但在 ASML 自身报表里仍然只是"以台计"的生意。

ASML 2025年第四季度及全年业绩新闻稿（2026年1月28日发布）显示，当季总净销售额 97.2亿欧元创纪录，CEO Christophe Fouquet 特别提到其中包含两台 High NA 系统确认的收入。2025年全年总净销售额 326.7亿欧元，年末未成交订单（backlog）387.9亿欧元；全年净订单 280.4亿欧元，其中第四季度单季 131.6亿欧元、含 74亿欧元 EUV。

再看产能口径。ASML 在2026年7月15日的二季度业绩新闻稿中表示，计划到2027年在2026年约65台的低数值孔径 EUV 产能基础上增加30%，并研究在2028年再增30%；DUV 浸润式产能2026年约130台，2027年同样增加30%。三份9月8日的公告均未披露 High NA 的产能、出货台数与单台售价，ASML 在本次文件中也没有给出设备价格。

二季度本身的数据是：总净销售额 93.3亿欧元，毛利率 54.0%，净利润 29.2亿欧元；全年指引由340亿—390亿欧元上调至430亿—450亿欧元，毛利率区间54%—56%。推动上调的原因是 AI 相关的先进逻辑与内存需求，以及客户加速扩产，ASML 的原话是"customer commitments across our product portfolio"，而非 High NA 的集中放量。

需求侧的时间表确实开始变密：英特尔已经在量产线上使用，三星把 High NA 写进 DRAM 量产计划，台积电给出2030年起点，三家共同加入光罩倡议。High NA 的收入曲线什么时候变陡，取决于这三份计划什么时候变成装机、验收和回款。ASML 已把下一次长期展望更新安排在2027年6月10日的资本市场日。

谁承担成本，接下来盯什么

这轮转换的成本分布并不平均。ASML 承担产能扩张与设备代际研发投入。三星、台积电、英特尔承担资本开支前置、良率学习曲线，以及 6 英寸向 12 英寸过渡期可能出现的重复投资。掩膜版与相关材料设备供应商面对的，是既有产线规格重置的风险。

四个可验证节点比表态更有意义：其一，三星是否在后续技术论坛或财报中披露 High NA 进入哪个 DRAM 节点、涉及几道光罩层；其二，台积电在2030年前的哪个量产节点首次引入 High NA 层及具体层数；其三，2031年 12 英寸光罩试点线能否如期建成，倡议参与者是否从"表达加入兴趣"变成正式承诺；其四，ASML 何时在财报中单独披露 High NA 的出货量或收入区间。

三份公告没有任何一处提到订单金额，但把 DRAM 拉进 High NA、把光罩从 6 英寸换成 12 英寸，意味着这台机器第一次同时被写进内存产线和掩膜版产业链的排产计划。设备换代的钱由三家龙头出，规格换代的钱由整条供应链出——2028、2030、2033 三个年份真正的区别在这里。

（文中引用的 ASML 2026年7月15日季度业绩新闻稿原文地址：https://www.asml.com/en/news/press-releases/2026/q2-2026-financial-results ；ASML 2025年第四季度及全年业绩新闻稿原文地址：https://www.asml.com/en/news/press-releases/2026/q4-2025-financial-results ）

参考数据来源

• ASML Holding N.V. · Samsung Electronics and ASML expand strategic collaboration for next-generation semiconductor manufacturing · 2026-09-08 · https://www.asml.com/en/news/press-releases/2026/samsung-electronics-and-asml-expand-collaboration-on-next-generation-semiconductor-manufacturing
• ASML Holding N.V. · TSMC and ASML Announce Initiative to Pioneer Industry Transition to Large-Format Photomasks for High NA EUV · 2026-09-08 · https://www.asml.com/en/news/press-releases/2026/tsmc-and-asml-announce-industry-transition-to-large-format-photomasks-for-high-na-euv
• ASML Holding N.V. · Intel Foundry and ASML Collaborate to Accelerate Industry Readiness for High-NA EUV · 2026-09-08 · https://www.asml.com/en/news/press-releases/2026/intel-foundry-and-asml-collaborate-to-accelerate-industry-readiness-for-high-na-euv