长存份额达38．5％首超三星，外资在华加码286层

三星电子西安工厂正在悄悄进行一场技术跃升——将原本200层的NAND闪存生产线升级为286层的V9架构。这家全球存储芯片巨头的中国西北部工厂产量约占其全球总产量的40％，而这一升级项目的内部代号叫作“Monami”，法语意为“我的朋友”。与此同时，韩国竞争对手SK海力士也在大连推动类似的技术迭代。

两家企业在过去四年里一直纠结于在中国工厂投资多少的问题。自2022年美国对中国实施芯片制造设备出口管制以来，它们改造中国工厂的能力受到限制，必须每年向美国申请许可证才能安装蚀刻机等设备。然而就在它们犹豫之际，中国对手长江存储已经占据了先发优势——Omdia数据显示，第二季度长江存储在中国NAND市场的份额达到38．5％，超过了三星的33．5％，SK海力士则从20％降至17％。

面对份额流失的现实，三星和SK海力士选择了反击。但这场反击不是简单的产能扩张，而是在中美博弈夹缝中的一次精密技术突围。

被蚕食的市场

事情要从2022年说起。那一年，美国政府开始对部分芯片制造设备实施出口管制，直接限制了三星和SK海力士在中国工厂进行技术升级的能力。这两家企业如果要在中国工厂安装美国制造的蚀刻机等设备，就必须每年向美国申请许可证。

这个政策的效果是立竿见影的。根据Omdia的研究数据，在管制实施前的2025年全年，三星在中国NAND市场的份额为36％，SK海力士为20％。到了今年第二季度，三星滑落至33．5％，SK海力士跌至17％。而长江存储的份额则从全年平均的28％跃升至38．5％。

NAND闪存是一种断电后仍能保留数据的存储芯片，广泛应用于智能手机、个人电脑以及AI数据中心使用的固态硬盘。单颗芯片的层数越多，存储密度就越高，成本也越低。这就是为什么三星和SK海力士把注意力集中在提升层数上。

“我们注意到外国竞争对手通过在中国本地化生产获得了成本优势。”三星在一封发给路透社的声明中写道，“此次升级旨在满足包括美国客户在内的全球客户日益增长的需求。公司并未扩大产能，也没有新建制造设施。”

这封声明的关键在于措辞——三星强调的是“满足全球客户需求”，而非单纯服务于中国市场。但在实际操作中，西安工厂生产的NAND芯片很大比例最终还是会流向国内市场。

Monami计划：一个精心设计的升级

据三名知情人士透露，三星西安工厂目前的升级工作正在进行中，且是在与华盛顿密切协商的情况下进行的。该项目有两个明确的时间节点：今年12月前实现月产5000片晶圆，到2027年12月将月产量大幅提高至4万片晶圆。

这两个数字之间存在巨大的鸿沟——从现在到2027年底，月产量需要增加八倍。这意味着三星必须在相当一段时间内持续投入资本开支，同时确保能够获得必要的出口许可证。

两名知情人士表示，SK海力士的计划同样雄心勃勃：将其大连工厂转向生产层数达到240层或以上的NAND产品。该工厂目前生产的是192层产品。知情人士称，该公司获准在大连生产最多240层的芯片，并可能寻求华盛顿批准在当地研发300层以上的芯片。

值得注意的是，SK海力士正与特朗普政府就在美国新建一座NAND工厂的计划进行磋商。这可能意味着该公司的策略是双线并行：一方面继续升级中国工厂以维持现有市场份额，另一方面准备将部分产能转移回美国。

对于三星和SK海力士升级计划所需设备的出口许可证，路透社援引知情人士的消息表示，美国当局究竟批准了多少，外界尚不明确。两家公司拒绝披露具体生产计划细节。

长存的挑战不在份额而在利润率

长江存储的市场份额超越三星，标志着中国存储芯片产业的一个重要拐点。但这并不意味着长存已经稳操胜券。

首先需要理解NAND产业的竞争逻辑：层数更高的芯片不仅意味着更高的存储密度，还意味着更低的单位成本。当三星和SK海力士在西安和大连工厂实现286层和240层量产时，它们将获得显著的成本优势。这些低成本芯片进入中国市场后，必然会挤压长存在中高端产品的定价空间。

其次，长存的实际良率仍然是一个未知数。NAND闪存的生产是一个高度复杂的过程，层数越高，制造难度呈几何级数上升。即使设计图纸已经完成，良率爬坡也需要时间和大量资本投入。在没有公开数据的情况下，任何关于长存竞争力的讨论都必须保持审慎。

第三，美国出口管制的未来走向也是关键变量。目前三星和SK海力士获得的是有限的升级许可，但如果美国政府认为中国存储芯片企业构成了更大的战略威胁，完全可能收紧甚至取消此类豁免。这将直接影响两家韩国企业在华投资的决策。

谁受益？谁承压？

在这场三方博弈中，受益者可能是全球数据中心建设者和消费电子厂商。更多的高性能NAND供应意味着更低的价格和更快的创新周期。尤其考虑到AI浪潮对存储需求的爆发式增长——大模型训练和推理都需要海量的数据存储支持——供应链多元化成为降低地缘风险的关键策略。

但对于中国本土存储产业链的其他环节来说，情况可能更为复杂。外资企业的技术升级可能会压缩本土供应商的利润空间，特别是在设备和服务领域。如果三星和SK海力士在西安和大连工厂实现了更高程度的国产化替代，那么原本预期由国内供应商承接的增量订单可能会被稀释。

此外，还需要关注一种潜在的政策传导效应。如果美国政府对三星和SK海力士在华技术升级施加更大压力，可能导致中国企业加速推进全链条自主可控进程，包括存储芯片设计、制造设备、材料等各个环节。这种被迫的技术自立虽然短期成本高昂，但长期来看可能重塑整个中国半导体产业的竞争格局。

观察指标：未来半年看什么

要判断这场博弈的最终走向，建议重点关注以下五个指标：

第一，三星西安工厂2026年12月的5000片／月月产量目标是否如期达成。这是检验出口许可证稳定性和技术可行性的第一个里程碑。

第二，SK海力士是否正式向美国提交300层以上芯片的研发许可申请。这将表明韩国企业在中国技术创新上的决心边界。

第三，长江存储在高端NAND领域的良率数据和客户反馈。这是决定它能否将市场份额转化为实际利润的关键。

第四，美国商务部BIS是否会出台新一轮限制条款，特别针对存储芯片制造设备的出口管控。政策的收紧或放松将直接改变三方的竞争环境。

第五，全球主要云服务商和数据中心在NAND采购策略上是否呈现多元化趋势。如果AWS、Azure、阿里云等头部玩家有意分散供应来源，将为长存提供更多机会窗口。