长鑫科技G5平台量产实现11.95纳米制程突破，每片晶圆裸片产出大增。
长鑫科技宣布第五代DRAM平台正式量产，有源区半间距达11.95纳米，全球份额升至7.67%。
2026年二季度，长鑫存储EBIT利润率飙至82%，超越三星和SK海力士成全球最高。
长鑫科技首份完整半年报出炉：上半年营收1503亿元，同比暴涨873.64%，实现从亏损23亿到盈利近800亿元的逆转。
AI挤占存储产能，集邦咨询预测256GB机型内存成本一年涨近400%，苹果压价失灵，新机零售价或上调10%—20%。
存储涨价传导至终端：部分机型单台加价400至1500元。源头是AI服务器挤占内存产能，低端机承压最重，短期难降价。
央视财经曝华强北手机普涨400至1500元。存储合约价一年多翻倍，利润流向三大原厂，手机厂毛利承压，短期难回落。
ASML一日连发三份公告：三星拟2028年前将HighNAEUV首次用于DRAM量产，台积电定2030年。
长鑫科技上半年营收1503亿元增873.64%，归母净利776亿元，DRAM排名全球第四，利润暴增源于行业涨价。
长鑫科技上半年营收1503.10亿元、净利776.05亿元，同比扭亏。
二季度整体DRAM产业营收约1547.3亿美元，环比增59.5%，增长靠涨价而非放量，上行周期能否延续看供给落地节奏。
CFM闪存市场数据显示，2026年二季度全球DRAM市场规模达1470.24亿美元，环比增长55.9%创历史新高。
华为Mate 80涨800元，荣耀Magic8涨300至500元；手机内存环比涨超80%，终端被动跟涨。
74家科创板芯片设计公司中64家营收正增长，长鑫科技上半年营收1503亿元、净利776亿元，主角是DRAM涨价。
长鑫存储8月28日在美起诉国防部，要求移出1260H涉军企业名单。该清单不含出口管制，此前已有四家中企提起同类诉讼。